K4AAG165WB-MCRC vs MT40A256M16GE-075E:B Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4AAG165WB-MCRC por Samsung Electronics y MT40A256M16GE-075E:B por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron
MT40A256M16GE-075E:B ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4AAG165WB-MCRC | MT40A256M16GE-075E:B |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $7,42 | $3,95 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb (2 GB) | — |
| Organización de memoria | 1G x 16 | 256M x 16 |
| Velocidad de datos | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 2666 MT/s (DDR4-2666) |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0 C to +85 C | [DATA_NEEDED: operating temperature range for standard grade] |
| Encapsulado | 96FBGA | 96-FBGA (9 x 14 mm) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Interfaz | Parallel, DDR4 | — |
| Bank Architecture | DDR4 bank-group architecture | — |
| Clock Frequency | 1200 MHz (DDR4-2400) | 1.33 GHz |
| Peak Bandwidth (per device) | 19.2 GB/s (estimated: 2400 Mbps x 16 bits / 8) | — |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CL value per Samsung datasheet speed bin table] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] | 64 ms / 8192-cycle; 32 ms / 8192-cycle at 95C |
| Estado RoHS | Compliant (per LCSC/JLCPCB listing: FBGA-96 DRAM ROHS) | — |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Tamaño de memoria | — | 4 Gbit |
| Memory Interface | — | Parallel |
| VDD / VDDQ | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP | — | 2.5 V, -125 mV/+250 mV |
| Internal Banks | — | 16 |
| I/O Type | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die, internal, adjustable generation |
| Special Features | — | Temperature controlled refresh (TCR) |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: CAS latency / access time] |