K4AAG165WB-MCRC vs MT40A256M16GE-075E:B Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4AAG165WB-MCRC par Samsung Electronics et MT40A256M16GE-075E:B par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron
MT40A256M16GE-075E:B ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4AAG165WB-MCRC | MT40A256M16GE-075E:B |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $7,42 | $3,95 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb (2 GB) | — |
| Organisation de la mémoire | 1G x 16 | 256M x 16 |
| Débit de données | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 2666 MT/s (DDR4-2666) |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Température de fonctionnement | 0 C to +85 C | [DATA_NEEDED: operating temperature range for standard grade] |
| Boîtier | 96FBGA | 96-FBGA (9 x 14 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | Parallel, DDR4 | — |
| Bank Architecture | DDR4 bank-group architecture | — |
| Clock Frequency | 1200 MHz (DDR4-2400) | 1.33 GHz |
| Peak Bandwidth (per device) | 19.2 GB/s (estimated: 2400 Mbps x 16 bits / 8) | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CL value per Samsung datasheet speed bin table] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] | 64 ms / 8192-cycle; 32 ms / 8192-cycle at 95C |
| Statut RoHS | Compliant (per LCSC/JLCPCB listing: FBGA-96 DRAM ROHS) | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Taille de mémoire | — | 4 Gbit |
| Memory Interface | — | Parallel |
| VDD / VDDQ | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP | — | 2.5 V, -125 mV/+250 mV |
| Internal Banks | — | 16 |
| I/O Type | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die, internal, adjustable generation |
| Special Features | — | Temperature controlled refresh (TCR) |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: CAS latency / access time] |