K4AAG165WB-MCRC vs MT40A256M16GE-075E:B Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4AAG165WB-MCRC от Samsung Electronics и MT40A256M16GE-075E:B от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4AAG165WB-MCRC - 16Gb DDR4 SDRAM, 2400 Mbps | Samsung
K4AAG165WB-MCRC ✓ АктивенMicron Technology
MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron
MT40A256M16GE-075E:B ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K4AAG165WB-MCRC | MT40A256M16GE-075E:B |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $7,42 | $3,95 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb (2 GB) | — |
| Организация памяти | 1G x 16 | 256M x 16 |
| Скорость передачи данных | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 2666 MT/s (DDR4-2666) |
| Напряжение питания | 1.2 V | — |
| Рабочая температура | 0 C to +85 C | [DATA_NEEDED: operating temperature range for standard grade] |
| Корпус | 96FBGA | 96-FBGA (9 x 14 mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Интерфейс | Parallel, DDR4 | — |
| Bank Architecture | DDR4 bank-group architecture | — |
| Clock Frequency | 1200 MHz (DDR4-2400) | 1.33 GHz |
| Peak Bandwidth (per device) | 19.2 GB/s (estimated: 2400 Mbps x 16 bits / 8) | — |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CL value per Samsung datasheet speed bin table] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] | 64 ms / 8192-cycle; 32 ms / 8192-cycle at 95C |
| Статус RoHS | Compliant (per LCSC/JLCPCB listing: FBGA-96 DRAM ROHS) | — |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Размер памяти | — | 4 Gbit |
| Memory Interface | — | Parallel |
| VDD / VDDQ | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP | — | 2.5 V, -125 mV/+250 mV |
| Internal Banks | — | 16 |
| I/O Type | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die, internal, adjustable generation |
| Special Features | — | Temperature controlled refresh (TCR) |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: CAS latency / access time] |