K4B4G1646D-BHMA vs IS43TR16256AL-125KBL Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646D-BHMA por Samsung Electronics y IS43TR16256AL-125KBL por ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646D-BHMA | IS43TR16256AL-125KBL |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,90 | $5,60 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4 Gb | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | — |
| Velocidad de datos | 1866 Mbps | 1600 Mbps |
| Tensión de alimentación | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35V (backward compatible to 1.5V) |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | 96-TWBGA (9x13mm) |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C (TC) | 0°C ~ 95°C |
| Latencia CAS | 13 (at 1866 Mbps) | — |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sin halógenos | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| Refresh Mode | Auto and Self Refresh | — |
| Tamaño de memoria | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Interfaz | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | SDRAM - DDR3L |
| Estado RoHS | — | Compliant |