K4B4G1646D-BHMA vs IS43TR16256AL-125KBL 比較

詳細な並列比較: K4B4G1646D-BHMA メーカー: Samsung Electronics および IS43TR16256AL-125KBL メーカー: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BHMA K4B4G1646D-BHMA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BHMA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BHMA ✓ 生産中
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4B4G1646D-BHMA IS43TR16256AL-125KBL
ブランド Samsung Electronics ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.90 $5.60
メモリタイプ DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4 Gb —
メモリ構成 256M x 16 —
データレート 1866 Mbps 1600 Mbps
電源電圧 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) 1.35V (backward compatible to 1.5V)
パッケージ 96-ball FBGA 96-TWBGA (9x13mm)
動作温度 -40°C to +95°C (TC) 0°C ~ 95°C
CASレイテンシ 13 (at 1866 Mbps) —
Burst Length 8 and 4 —
Number of Terminals 96 96
Lead-Free Yes Yes
ハロゲンフリー Yes —
RoHS Compliant Yes —
Die Version D-die —
Refresh Mode Auto and Self Refresh —
メモリサイズ — 4Gbit (256M x 16)
インターフェース — Parallel
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 20 ns
実装タイプ — Surface Mount
Memory Format — DRAM
Technology — SDRAM - DDR3L
RoHS ステータス — Compliant

データシート&リソース

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