K4B4G1646D-BHMA vs IS43TR16256AL-125KBL Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646D-BHMA par Samsung Electronics et IS43TR16256AL-125KBL par ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646D-BHMA | IS43TR16256AL-125KBL |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,90 | $5,60 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | — |
| Débit de données | 1866 Mbps | 1600 Mbps |
| Tension d'alimentation | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35V (backward compatible to 1.5V) |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96-TWBGA (9x13mm) |
| Température de fonctionnement | -40°C to +95°C (TC) | 0°C ~ 95°C |
| Latence CAS | 13 (at 1866 Mbps) | — |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sans halogène | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| Refresh Mode | Auto and Self Refresh | — |
| Taille de mémoire | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Interface | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | SDRAM - DDR3L |
| Statut RoHS | — | Compliant |