K4B4G1646D-BHMA vs K4B4G1646D-BYH90 Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646D-BHMA por Samsung Electronics y K4B4G1646D-BYH90 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYH90 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646D-BHMA | K4B4G1646D-BYH90 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,90 | $8,80 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 512M x 16 |
| Velocidad de datos | 1866 Mbps | 2133 Mbps/pin |
| Tensión de alimentación | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C (TC) | 0°C to +85°C |
| Latencia CAS | 13 (at 1866 Mbps) | Programmable (e.g., 11, 12, 13) |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 and 4 (with burst chop) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sin halógenos | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| Refresh Mode | Auto and Self Refresh | — |
| I/O Interface | — | x16 |
| Number of Banks | — | 8 |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT pin) |
| ZQ Calibration | — | Yes (240-ohm resistor to ground) |
| RoHS | — | Compliant |