K4B4G1646D-BHMA vs K4B4G1646D-BYH90 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646D-BHMA par Samsung Electronics et K4B4G1646D-BYH90 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYH90 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646D-BHMA | K4B4G1646D-BYH90 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,90 | $8,80 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 512M x 16 |
| Débit de données | 1866 Mbps | 2133 Mbps/pin |
| Tension d'alimentation | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| Température de fonctionnement | -40°C to +95°C (TC) | 0°C to +85°C |
| Latence CAS | 13 (at 1866 Mbps) | Programmable (e.g., 11, 12, 13) |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 and 4 (with burst chop) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sans halogène | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| Refresh Mode | Auto and Self Refresh | — |
| I/O Interface | — | x16 |
| Number of Banks | — | 8 |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT pin) |
| ZQ Calibration | — | Yes (240-ohm resistor to ground) |
| RoHS | — | Compliant |