K4B4G1646E-BMK0 vs K4B4G1646D-BHMA Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646E-BMK0 por Samsung Electronics y K4B4G1646D-BHMA por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646E-BMK0 | K4B4G1646D-BHMA |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,50 | $2,90 |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 1600 Mbps | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C | -40°C to +95°C (TC) |
| Encapsulado | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| Interfaz | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Velocidad de datos | 1600 Mbps | 1866 Mbps |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Tensión de alimentación | — | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Latencia CAS | — | 13 (at 1866 Mbps) |
| Burst Length | — | 8 and 4 |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sin halógenos | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |
| Refresh Mode | — | Auto and Self Refresh |