K4B4G1646E-BMK0 vs K4B4G1646D-BHMA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646E-BMK0 par Samsung Electronics et K4B4G1646D-BHMA par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646E-BMK0 | K4B4G1646D-BHMA |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,50 | $2,90 |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 1600 Mbps | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| Température de fonctionnement | -40°C to +95°C | -40°C to +95°C (TC) |
| Boîtier | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| Interface | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Débit de données | 1600 Mbps | 1866 Mbps |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Tension d'alimentation | — | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Latence CAS | — | 13 (at 1866 Mbps) |
| Burst Length | — | 8 and 4 |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |
| Refresh Mode | — | Auto and Self Refresh |