K4B4G1646E-BMK0 vs K4B4G1646E-BYMA Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646E-BMK0 por Samsung Electronics y K4B4G1646E-BYMA por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646E-BMK0 | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,50 | $14,32 |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 1600 Mbps | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| Encapsulado | 96-FBGA | FBGA-96 |
| Interfaz | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz |
| Velocidad de datos | 1600 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Tensión de alimentación | — | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Número de pines | — | 96 |