K4B4G1646E-BMK0 vs K4B4G1646E-BYMA 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4B4G1646E-BMK0 제조: Samsung Electronics 및 K4B4G1646E-BYMA 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4B4G1646E-BMK0 | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.50 | $14.32 |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 1600 Mbps | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| 동작 온도 | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| 패키지 | 96-FBGA | FBGA-96 |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz |
| 데이터 속도 | 1600 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| 공급 전압 | — | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| 핀 수 | — | 96 |