K4B4G1646E-BYK000 vs MT41K256M16HA-125 Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646E-BYK000 por Samsung Electronics y MT41K256M16HA-125 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYK000 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung
K4B4G1646E-BYK000 ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646E-BYK000 | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,56 | $6,36 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Tamaño de memoria | 4 Gbit | 4Gbit (256M x 16) |
| Organización de memoria | 256M x 16 | — |
| Speed Grade | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 800 MHz |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) | — |
| Number of Banks | [DATA_NEEDED: bank count] | — |
| Die Process | Samsung E-die | — |
| Encapsulado | 96-FBGA (BYK) | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Interfaz | Parallel | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Características | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Access Time | 1.25 ns | 13.75 ns |
| Ancho del bus de datos | — | 16 bit |
| Tensión de alimentación | — | 1.35 V |
| Número de pines | — | 96 |
| Lead-Free | — | Yes |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |
| Latencia CAS | — | 11 |