K4B4G1646E-BYK000 vs MT41K256M16HA-125 比較
詳細な並列比較: K4B4G1646E-BYK000 メーカー: Samsung Electronics および MT41K256M16HA-125 メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4B4G1646E-BYK000 | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Micron Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.56 | $6.36 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| メモリサイズ | 4 Gbit | 4Gbit (256M x 16) |
| メモリ構成 | 256M x 16 | — |
| Speed Grade | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 800 MHz |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) | — |
| Number of Banks | [DATA_NEEDED: bank count] | — |
| Die Process | Samsung E-die | — |
| パッケージ | 96-FBGA (BYK) | 96-FBGA (9x14 mm) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| インターフェース | Parallel | — |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| 特長 | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask | — |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Access Time | 1.25 ns | 13.75 ns |
| データバス幅 | — | 16 bit |
| 電源電圧 | — | 1.35 V |
| ピン数 | — | 96 |
| Lead-Free | — | Yes |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |
| CASレイテンシ | — | 11 |