K4RAH086VB-BCWM vs PDRQL8KCBF12-00 Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4RAH086VB-BCWM por Samsung Electronics y PDRQL8KCBF12-00 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor
K4RAH086VB-BCWM ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4RAH086VB-BCWM | PDRQL8KCBF12-00 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | DRAM | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $44,55 | $18,00 |
| Tipo de memoria | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 16 Gb | — |
| Organización de memoria | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Velocidad de datos | 5600 Mbps | 7200 MT/s |
| Tensión de alimentación | 1.1 V | 1.1 V |
| Interfaz | DDR5 (parallel) | Pseudo-differential DQ |
| Encapsulado | FBGA-82 | FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | DRAM (volatile) | — |
| Speed Grade | BCWM | — |
| Temperatura de funcionamiento | Commercial temperature range (per datasheet) | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| ECC | On-die ECC | — |
| Burst Length | 32 (BL32, DDR5 standard) | 16 (BL16), burst chop 8 (BC8) |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Estado del ciclo de vida | Active | — |
| Sub-channel Architecture | Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) | — |
| Density | — | 16 Gb |
| On-die ECC | — | Yes |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Process Technology | — | 10nm-class |
| Lead-Free | — | Yes |