K4RAH086VB-BCWM vs PDRQL8KCBF12-00 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RAH086VB-BCWM par Samsung Electronics et PDRQL8KCBF12-00 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor
K4RAH086VB-BCWM ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4RAH086VB-BCWM | PDRQL8KCBF12-00 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $44,55 | $18,00 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Taille de mémoire | 16 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Débit de données | 5600 Mbps | 7200 MT/s |
| Tension d'alimentation | 1.1 V | 1.1 V |
| Interface | DDR5 (parallel) | Pseudo-differential DQ |
| Boîtier | FBGA-82 | FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | DRAM (volatile) | — |
| Speed Grade | BCWM | — |
| Température de fonctionnement | Commercial temperature range (per datasheet) | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| ECC | On-die ECC | — |
| Burst Length | 32 (BL32, DDR5 standard) | 16 (BL16), burst chop 8 (BC8) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Statut du cycle de vie | Active | — |
| Sub-channel Architecture | Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) | — |
| Density | — | 16 Gb |
| On-die ECC | — | Yes |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Process Technology | — | 10nm-class |
| Lead-Free | — | Yes |