K4RAH086VB-BCWM vs PDRQL8KCBF12-00 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4RAH086VB-BCWM von Samsung Electronics und PDRQL8KCBF12-00 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor
K4RAH086VB-BCWM ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4RAH086VB-BCWM | PDRQL8KCBF12-00 |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | DRAM | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $44,55 | $18,00 |
| Speichertyp | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Speichergröße | 16 Gb | — |
| Speicherorganisation | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Datenrate | 5600 Mbps | 7200 MT/s |
| Versorgungsspannung | 1.1 V | 1.1 V |
| Schnittstelle | DDR5 (parallel) | Pseudo-differential DQ |
| Gehäuse | FBGA-82 | FBGA |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | DRAM (volatile) | — |
| Speed Grade | BCWM | — |
| Betriebstemperatur | Commercial temperature range (per datasheet) | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| ECC | On-die ECC | — |
| Burst Length | 32 (BL32, DDR5 standard) | 16 (BL16), burst chop 8 (BC8) |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Lebenszyklusstatus | Active | — |
| Sub-channel Architecture | Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) | — |
| Density | — | 16 Gb |
| On-die ECC | — | Yes |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Process Technology | — | 10nm-class |
| Lead-Free | — | Yes |