K4RAH086VB-BIQK vs K4RAH086VB-BIWM Comparación

Comparación detallada lado a lado de K4RAH086VB-BIQK por Samsung Electronics y K4RAH086VB-BIWM por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Samsung Electronics
K4RAH086VB-BIQK K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK ✓ Activo
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BIWM K4RAH086VB-BIWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIWM ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro K4RAH086VB-BIQK K4RAH086VB-BIWM
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $4,25 $4,85
Tipo de memoria DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb 16 Gb
Organización de memoria 2G x 8 [DATA_NEEDED: organization x4/x8]
Velocidad de datos 4800 Mbps/pin 5600 Mbps per pin
Core Supply Voltage 1.1 V (nominal) —
Encapsulado 82FBGA —
Configuration X8 —
Speed Grade BIQK (-BIQK bin) —
ECC On-die ECC (DDR5 standard) —
Interfaz DDR5 (CA reduced pin count) —
Burst Length 16 / 32 —
Operating Mode DLL enabled —
Estado RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: temperature range]
Latencia CAS [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate specification] —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Tensión de alimentación — [DATA_NEEDED: VDD voltage]
Package Type — [DATA_NEEDED: package (FBGA, ball count)]
Tipo de montaje — Surface Mount
Bank Groups — [DATA_NEEDED: bank group count]
CAS Latency (CWL) — Programmable (per Samsung DDR5 16Gb B-die spec)
DLL — DLL Enabled mode operation
On-Die Termination — Yes (via Mode Register setting)
Internal Calibration — Yes (via MPC)
Asynchronous Reset — Yes
Posted CAS — Yes
Maximum Data Rate (family, per spec Rev1.0) — 4800 Mbps per pin (DDR5-4800, general applications)

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