K4RAH086VB-BIQK vs K4RAH086VB-BIWM 比較
詳細な並列比較: K4RAH086VB-BIQK メーカー: Samsung Electronics および K4RAH086VB-BIWM メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4RAH086VB-BIQK | K4RAH086VB-BIWM |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $4.25 | $4.85 |
| メモリタイプ | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb |
| メモリ構成 | 2G x 8 | [DATA_NEEDED: organization x4/x8] |
| データレート | 4800 Mbps/pin | 5600 Mbps per pin |
| Core Supply Voltage | 1.1 V (nominal) | — |
| パッケージ | 82FBGA | — |
| Configuration | X8 | — |
| Speed Grade | BIQK (-BIQK bin) | — |
| ECC | On-die ECC (DDR5 standard) | — |
| インターフェース | DDR5 (CA reduced pin count) | — |
| Burst Length | 16 / 32 | — |
| Operating Mode | DLL enabled | — |
| RoHS ステータス | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: temperature range] |
| CASレイテンシ | [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | — |
| MSLレベル | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| 電源電圧 | — | [DATA_NEEDED: VDD voltage] |
| Package Type | — | [DATA_NEEDED: package (FBGA, ball count)] |
| 実装タイプ | — | Surface Mount |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank group count] |
| CAS Latency (CWL) | — | Programmable (per Samsung DDR5 16Gb B-die spec) |
| DLL | — | DLL Enabled mode operation |
| On-Die Termination | — | Yes (via Mode Register setting) |
| Internal Calibration | — | Yes (via MPC) |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Posted CAS | — | Yes |
| Maximum Data Rate (family, per spec Rev1.0) | — | 4800 Mbps per pin (DDR5-4800, general applications) |