K4RAH086VB-BIQK vs K4RAH086VB-BIWM 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4RAH086VB-BIQK 제조: Samsung Electronics 및 K4RAH086VB-BIWM 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4RAH086VB-BIQK | K4RAH086VB-BIWM |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $4.25 | $4.85 |
| 메모리 유형 | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb |
| 메모리 구성 | 2G x 8 | [DATA_NEEDED: organization x4/x8] |
| 데이터 속도 | 4800 Mbps/pin | 5600 Mbps per pin |
| Core Supply Voltage | 1.1 V (nominal) | — |
| 패키지 | 82FBGA | — |
| Configuration | X8 | — |
| Speed Grade | BIQK (-BIQK bin) | — |
| ECC | On-die ECC (DDR5 standard) | — |
| 인터페이스 | DDR5 (CA reduced pin count) | — |
| Burst Length | 16 / 32 | — |
| Operating Mode | DLL enabled | — |
| RoHS 상태 | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: temperature range] |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | — |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| 공급 전압 | — | [DATA_NEEDED: VDD voltage] |
| Package Type | — | [DATA_NEEDED: package (FBGA, ball count)] |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank group count] |
| CAS Latency (CWL) | — | Programmable (per Samsung DDR5 16Gb B-die spec) |
| DLL | — | DLL Enabled mode operation |
| On-Die Termination | — | Yes (via Mode Register setting) |
| Internal Calibration | — | Yes (via MPC) |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Posted CAS | — | Yes |
| Maximum Data Rate (family, per spec Rev1.0) | — | 4800 Mbps per pin (DDR5-4800, general applications) |