K4RAH086VB-BIQK vs K4RAH086VB-BIWM Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4RAH086VB-BIQK par Samsung Electronics et K4RAH086VB-BIWM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K4RAH086VB-BIQK K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK ✓ Actif
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BIWM K4RAH086VB-BIWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIWM ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4RAH086VB-BIQK K4RAH086VB-BIWM
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,25 $4,85
Type de mémoire DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb 16 Gb
Organisation de la mémoire 2G x 8 [DATA_NEEDED: organization x4/x8]
Débit de données 4800 Mbps/pin 5600 Mbps per pin
Core Supply Voltage 1.1 V (nominal) —
Boîtier 82FBGA —
Configuration X8 —
Speed Grade BIQK (-BIQK bin) —
ECC On-die ECC (DDR5 standard) —
Interface DDR5 (CA reduced pin count) —
Burst Length 16 / 32 —
Operating Mode DLL enabled —
Statut RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: temperature range]
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate specification] —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Tension d'alimentation — [DATA_NEEDED: VDD voltage]
Package Type — [DATA_NEEDED: package (FBGA, ball count)]
Type de montage — Surface Mount
Bank Groups — [DATA_NEEDED: bank group count]
CAS Latency (CWL) — Programmable (per Samsung DDR5 16Gb B-die spec)
DLL — DLL Enabled mode operation
On-Die Termination — Yes (via Mode Register setting)
Internal Calibration — Yes (via MPC)
Asynchronous Reset — Yes
Posted CAS — Yes
Maximum Data Rate (family, per spec Rev1.0) — 4800 Mbps per pin (DDR5-4800, general applications)

Fiches techniques et ressources

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