K4RHE086VB-BCWM vs K4RCH046VM-2CCM Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4RHE086VB-BCWM por Samsung Electronics y K4RCH046VM-2CCM por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4RHE086VB-BCWM | K4RCH046VM-2CCM |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | NRND |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $7,65 | $0,00 |
| Tipo de memoria | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 24 Gb | 32 Gb |
| Organización de memoria | 2G x 8 | 4G x 4 |
| Velocidad de datos | 5600 Mbps | 5600 Mbps |
| Tensión de alimentación | 1.1 V | 1.1 V |
| Encapsulado | 82 FBGA | 78-ball FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Interfaz | DDR5 (JEDEC) | — |
| Configuration | x8 | — |
| Application Segment | Server / Data Center / Premium PC | — |
| Manufacturer | Samsung Semiconductor | — |
| Estado RoHS | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0 to 85 C |
| Access Time / CAS Latency | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| On-Die ECC | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] |
| Package Height | [DATA_NEEDED: package height] | — |
| Product Status | — | Sample |
| Access Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| Tipo de interfaz | — | [DATA_NEEDED: interface type] |
| Nivel MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |