K4RHE086VB-BCWM vs K4RCH046VM-2CCM Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4RHE086VB-BCWM por Samsung Electronics e K4RCH046VM-2CCM por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4RHE086VB-BCWM | K4RCH046VM-2CCM |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | NRND |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $7,65 | $0,00 |
| Tipo de memória | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 24 Gb | 32 Gb |
| Organização da memória | 2G x 8 | 4G x 4 |
| Taxa de dados | 5600 Mbps | 5600 Mbps |
| Tensão de alimentação | 1.1 V | 1.1 V |
| Encapsulamento | 82 FBGA | 78-ball FBGA |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | DDR5 (JEDEC) | — |
| Configuration | x8 | — |
| Application Segment | Server / Data Center / Premium PC | — |
| Manufacturer | Samsung Semiconductor | — |
| Status RoHS | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0 to 85 C |
| Access Time / CAS Latency | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| On-Die ECC | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] |
| Package Height | [DATA_NEEDED: package height] | — |
| Product Status | — | Sample |
| Access Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| Tipo de interface | — | [DATA_NEEDED: interface type] |
| Nível MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |