K6X0808C1D-BF55 vs K6X0808C1D-BF70 Comparación
Comparación detallada lado a lado de K6X0808C1D-BF55 por Samsung Electronics y K6X0808C1D-BF70 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung
K6X0808C1D-BF55 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K6X0808C1D-BF55 | K6X0808C1D-BF70 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | DRAM | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Fin de vida |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $1,85 | $1,85 |
| Tipo de memoria | Asynchronous SRAM | Asynchronous SRAM (CMOS) |
| Tamaño de memoria | 256 Kbit | — |
| Organización de memoria | 32K x 8 | 32K x 8 |
| Access Time | 55 ns | 70 ns |
| Interfaz | Parallel | Parallel |
| Tensión de alimentación | 5 V | [DATA_NEEDED: Supply Voltage] |
| Technology | CMOS | CMOS |
| Encapsulado | 28-SOP | 28-SOP (PDSO28) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +70C (commercial grade, BF suffix) |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Operating Current | [DATA_NEEDED: operating current] | — |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| Memory Format | SRAM | — |
| Clock Frequency | N/A (asynchronous) | — |
| Refresh | Not required (static memory) | — |
| Estado RoHS | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Density | — | 256 Kbit |
| Operating Current (active) | — | [DATA_NEEDED: Operating Current] |
| Standby Current (CMOS) | — | [DATA_NEEDED: Standby Current] |
| Data Retention | — | Volatile (battery-backup capable with CE control) |
| I/O Type | — | Tri-state, common I/O (DQ0-DQ7) |
| Address Bus | — | A0-A14 (15 address lines) |