K6X0808C1D-BF55 vs K6X0808C1D-BF70 비교
다음의 상세 나란히 비교: K6X0808C1D-BF55 제조: Samsung Electronics 및 K6X0808C1D-BF70 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung
K6X0808C1D-BF55 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | K6X0808C1D-BF55 | K6X0808C1D-BF70 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | DRAM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 수명 종료 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.85 | $1.85 |
| 메모리 유형 | Asynchronous SRAM | Asynchronous SRAM (CMOS) |
| 메모리 크기 | 256 Kbit | — |
| 메모리 구성 | 32K x 8 | 32K x 8 |
| Access Time | 55 ns | 70 ns |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| 공급 전압 | 5 V | [DATA_NEEDED: Supply Voltage] |
| Technology | CMOS | CMOS |
| 패키지 | 28-SOP | 28-SOP (PDSO28) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +70C (commercial grade, BF suffix) |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Operating Current | [DATA_NEEDED: operating current] | — |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| Memory Format | SRAM | — |
| Clock Frequency | N/A (asynchronous) | — |
| Refresh | Not required (static memory) | — |
| RoHS 상태 | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Density | — | 256 Kbit |
| Operating Current (active) | — | [DATA_NEEDED: Operating Current] |
| Standby Current (CMOS) | — | [DATA_NEEDED: Standby Current] |
| Data Retention | — | Volatile (battery-backup capable with CE control) |
| I/O Type | — | Tri-state, common I/O (DQ0-DQ7) |
| Address Bus | — | A0-A14 (15 address lines) |