K6X1008C2D-TF55 vs K6X1008C2D-BF55 Comparación

Comparación detallada lado a lado de K6X1008C2D-TF55 por Samsung Electronics y K6X1008C2D-BF55 por Samsung Electro-Mechanics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Samsung Electronics
K6X1008C2D-TF55 K6X1008C2D-TF55 - 1Mbit 128Kx8 SRAM 55ns 5V | Samsung

K6X1008C2D-TF55 - 1Mbit 128Kx8 SRAM 55ns 5V | Samsung

K6X1008C2D-TF55 ✗ Fin de vida
Samsung Electro-Mechanics
K6X1008C2D-BF55 K6X1008C2D-BF55 - 128Kx8 Low Power CMOS SRAM | Samsung

K6X1008C2D-BF55 - 128Kx8 Low Power CMOS SRAM | Samsung

K6X1008C2D-BF55 Obsolete

Comparación de especificaciones

Parámetro K6X1008C2D-TF55 K6X1008C2D-BF55
Marca Samsung Electronics Samsung Electro-Mechanics
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Fin de vida Obsolete
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,35 $1,18
Tipo de memoria SRAM - Asynchronous Asynchronous CMOS Static RAM (SRAM)
Tamaño de memoria 1 Mbit —
Organización de memoria 128K x 8 —
Access Time (tAA) 55 ns —
Interfaz Parallel Parallel, asynchronous
Supply Voltage (Vcc) 4.5 V to 5.5 V —
Operating Current 35 mA —
Technology Low Power Full CMOS —
Encapsulado 32-TSOP REVERSE 32-SOP-525 (SOP-32)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Speed Options 55 ns, 70 ns —
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature grade]
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Memory Format Volatile (SRAM) —
Clock Frequency N/A (asynchronous) —
Estado RoHS RoHS: Yes (per distributor listing) Compliant
Memory Organization — 128K x 8 bit (1 Mbit)
Density — 1 Mbit
Access Time — 55 ns
Supply Voltage (VCC) — 5 V (single supply)
Operating Current (ICC) — 30 mA typical
Standby Current (ICC2) — [DATA_NEEDED: standby current value]
Ancho del bus de datos — 8 bit
Address Bus Width — 17 bit
Data Retention Voltage — Low data retention voltage supported
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Lead-Free — Yes (Lead-Free variant)
Cell Technology — 6T CMOS memory cell

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