K6X1008C2D-TF55 vs K6X1008C2D-BF55 비교
다음의 상세 나란히 비교: K6X1008C2D-TF55 제조: Samsung Electronics 및 K6X1008C2D-BF55 제조: Samsung Electro-Mechanics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Samsung Electro-Mechanics
K6X1008C2D-BF55 - 128Kx8 Low Power CMOS SRAM | Samsung
K6X1008C2D-BF55 Obsolete사양 비교
| 파라미터 | K6X1008C2D-TF55 | K6X1008C2D-BF55 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electro-Mechanics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 수명 종료 | Obsolete |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.35 | $1.18 |
| 메모리 유형 | SRAM - Asynchronous | Asynchronous CMOS Static RAM (SRAM) |
| 메모리 크기 | 1 Mbit | — |
| 메모리 구성 | 128K x 8 | — |
| Access Time (tAA) | 55 ns | — |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel, asynchronous |
| Supply Voltage (Vcc) | 4.5 V to 5.5 V | — |
| Operating Current | 35 mA | — |
| Technology | Low Power Full CMOS | — |
| 패키지 | 32-TSOP REVERSE | 32-SOP-525 (SOP-32) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Options | 55 ns, 70 ns | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature grade] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Memory Format | Volatile (SRAM) | — |
| Clock Frequency | N/A (asynchronous) | — |
| RoHS 상태 | RoHS: Yes (per distributor listing) | Compliant |
| Memory Organization | — | 128K x 8 bit (1 Mbit) |
| Density | — | 1 Mbit |
| Access Time | — | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | — | 5 V (single supply) |
| Operating Current (ICC) | — | 30 mA typical |
| Standby Current (ICC2) | — | [DATA_NEEDED: standby current value] |
| 데이터 버스 폭 | — | 8 bit |
| Address Bus Width | — | 17 bit |
| Data Retention Voltage | — | Low data retention voltage supported |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Lead-Free | — | Yes (Lead-Free variant) |
| Cell Technology | — | 6T CMOS memory cell |