K6X1008C2D-TF55 vs K6X1008C2D-BF55 比較
詳細な並列比較: K6X1008C2D-TF55 メーカー: Samsung Electronics および K6X1008C2D-BF55 メーカー: Samsung Electro-Mechanics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Samsung Electro-Mechanics
K6X1008C2D-BF55 - 128Kx8 Low Power CMOS SRAM | Samsung
K6X1008C2D-BF55 Obsolete仕様比較
| パラメータ | K6X1008C2D-TF55 | K6X1008C2D-BF55 |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electro-Mechanics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 製造終了 | Obsolete |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $2.35 | $1.18 |
| メモリタイプ | SRAM - Asynchronous | Asynchronous CMOS Static RAM (SRAM) |
| メモリサイズ | 1 Mbit | — |
| メモリ構成 | 128K x 8 | — |
| Access Time (tAA) | 55 ns | — |
| インターフェース | Parallel | Parallel, asynchronous |
| Supply Voltage (Vcc) | 4.5 V to 5.5 V | — |
| Operating Current | 35 mA | — |
| Technology | Low Power Full CMOS | — |
| パッケージ | 32-TSOP REVERSE | 32-SOP-525 (SOP-32) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Options | 55 ns, 70 ns | — |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature grade] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Memory Format | Volatile (SRAM) | — |
| Clock Frequency | N/A (asynchronous) | — |
| RoHS ステータス | RoHS: Yes (per distributor listing) | Compliant |
| Memory Organization | — | 128K x 8 bit (1 Mbit) |
| Density | — | 1 Mbit |
| Access Time | — | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | — | 5 V (single supply) |
| Operating Current (ICC) | — | 30 mA typical |
| Standby Current (ICC2) | — | [DATA_NEEDED: standby current value] |
| データバス幅 | — | 8 bit |
| Address Bus Width | — | 17 bit |
| Data Retention Voltage | — | Low data retention voltage supported |
| MSLレベル | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Lead-Free | — | Yes (Lead-Free variant) |
| Cell Technology | — | 6T CMOS memory cell |