K9MDG08U5M vs K9XXG08UXM Comparación

Comparación detallada lado a lado de K9MDG08U5M por Samsung Electronics y K9XXG08UXM por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Samsung Electronics
K9MDG08U5M K9MDG08U5M - 16Gb x8 MLC NAND Flash TSOP1-48 | Samsung

K9MDG08U5M - 16Gb x8 MLC NAND Flash TSOP1-48 | Samsung

K9MDG08U5M ✓ Activo
Samsung Electronics
K9XXG08UXM K9XXG08UXM - 2G x 8 Bit NAND Flash Memory | Samsung

K9XXG08UXM - 2G x 8 Bit NAND Flash Memory | Samsung

K9XXG08UXM Obsolete

Comparación de especificaciones

Parámetro K9MDG08U5M K9XXG08UXM
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Obsolete
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $35,50 $0,00
Tipo de memoria MLC Large Block NAND Flash —
Density 16 Gbit (2 GB) —
Organización de memoria 16G x 8 bit —
Cell Type MLC (2 bits per cell) SLC (single-level cell) NAND
Supply Voltage Min 2.7 V —
Supply Voltage Max 3.6 V —
Interfaz Asynchronous x8 multiplexed address/data —
Encapsulado 48-pin TSOP1 dual stacked, 12 mm x 20 mm 48-pin TSOP
Terminals 48 —
Circuits 1 —
Die Configuration Dual stacked —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
Page Size [DATA_NEEDED: page size] (2K + 64) Byte
Block Size [DATA_NEEDED: block size] (256K + 8K) Byte
Page Read Time (tR) [DATA_NEEDED: tR] —
Program Time (tPROG) [DATA_NEEDED: tPROG] —
Estado RoHS unknown [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Tamaño de memoria — 2G x 8 Bit (2Gb)
Memory Cell Array Organization — (1G + 32M) bit x 8 bit
Data Register — (2K + 64) bit x 8 bit
Tensión de alimentación — 2.7 V to 3.6 V
Program Operation — Automatic Page Program, (2K + 64) Byte
Erase Operation — Automatic Block Erase, (256K + 8K) Byte
I/O Interface — 8-bit multiplexed address/data/command
Control Signals — CLE, ALE, CE, RE, WE, WP, R/B
Access Time (tR) — [DATA_NEEDED: Access Time]

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