K9MDG08U5M vs K9XXG08UXM Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K9MDG08U5M от Samsung Electronics и K9XXG08UXM от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K9MDG08U5M | K9XXG08UXM |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Obsolete |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $35,50 | $0,00 |
| Тип памяти | MLC Large Block NAND Flash | — |
| Density | 16 Gbit (2 GB) | — |
| Организация памяти | 16G x 8 bit | — |
| Cell Type | MLC (2 bits per cell) | SLC (single-level cell) NAND |
| Supply Voltage Min | 2.7 V | — |
| Supply Voltage Max | 3.6 V | — |
| Интерфейс | Asynchronous x8 multiplexed address/data | — |
| Корпус | 48-pin TSOP1 dual stacked, 12 mm x 20 mm | 48-pin TSOP |
| Terminals | 48 | — |
| Circuits | 1 | — |
| Die Configuration | Dual stacked | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | (2K + 64) Byte |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | (256K + 8K) Byte |
| Page Read Time (tR) | [DATA_NEEDED: tR] | — |
| Program Time (tPROG) | [DATA_NEEDED: tPROG] | — |
| Статус RoHS | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Размер памяти | — | 2G x 8 Bit (2Gb) |
| Memory Cell Array Organization | — | (1G + 32M) bit x 8 bit |
| Data Register | — | (2K + 64) bit x 8 bit |
| Напряжение питания | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Program Operation | — | Automatic Page Program, (2K + 64) Byte |
| Erase Operation | — | Automatic Block Erase, (256K + 8K) Byte |
| I/O Interface | — | 8-bit multiplexed address/data/command |
| Control Signals | — | CLE, ALE, CE, RE, WE, WP, R/B |
| Access Time (tR) | — | [DATA_NEEDED: Access Time] |