M29F800FB55N3E2 vs M29F800FT55N3E2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de M29F800FB55N3E2 por Micron Technology y M29F800FT55N3E2 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
M29F800FB55N3E2 M29F800FB55N3E2 - 8Mb 5V 55ns NOR Flash TSOP-48 | Micron

M29F800FB55N3E2 - 8Mb 5V 55ns NOR Flash TSOP-48 | Micron

M29F800FB55N3E2 ✓ Activo
Micron Technology
M29F800FT55N3E2 M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3E2 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro M29F800FB55N3E2 M29F800FT55N3E2
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoría EEPROM Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $3,83 $4,98
Tamaño de memoria 8 Mbit (1 M x 8 / 512 K x 16) —
Tipo de memoria NOR Flash, SLC, Parallel NOR Flash
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage Min 4.5 V —
Supply Voltage Max 5.5 V —
Interfaz Parallel Parallel
Organización de memoria Bottom boot (B suffix) —
Ancho del bus de datos 8-bit or 16-bit (BYTE# selectable) —
Encapsulado 48-pin TSOP Type I (N suffix) 48-TSOP I
Tipo de montaje Surface Mount (SMD/SMT) Surface Mount
Temperatura de funcionamiento Up to +125 C (Auto Grade 3 suffix) -40C to +125C
Packing Tray (blank suffix) —
Estado RoHS Compliant (E suffix) Compliant (E suffix = lead-free/RoHS)
Programming Operations READ, ERASE, PROGRAM via command set —
Write Protection Block protection with lockable boot block —
Status Output RB# (Ready/Busy) —
Memory Organization — 512K x 16 (8 Mbit)
Density — 8389 kbits
Tensión de alimentación — 5 V
Boot Block Architecture — Top Boot Block
Word/Byte Configuration — BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit)
Hardware Reset / Power-Down — RP# pin
Embedded Program/Erase Controller — Yes (byte/word program, block erase)
Program/Erase Endurance — 100,000 cycles per block (typical for family)
Data Retention — >20 years (typical for family)
Ready/Busy Output — Yes

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