M29F800FB55N3E2 vs M29F800FT55N3E2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de M29F800FB55N3E2 par Micron Technology et M29F800FT55N3E2 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
M29F800FB55N3E2 M29F800FB55N3E2 - 8Mb 5V 55ns NOR Flash TSOP-48 | Micron

M29F800FB55N3E2 - 8Mb 5V 55ns NOR Flash TSOP-48 | Micron

M29F800FB55N3E2 ✓ Actif
Micron Technology
M29F800FT55N3E2 M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3E2 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre M29F800FB55N3E2 M29F800FT55N3E2
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie EEPROM Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,83 $4,98
Taille de mémoire 8 Mbit (1 M x 8 / 512 K x 16) —
Type de mémoire NOR Flash, SLC, Parallel NOR Flash
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage Min 4.5 V —
Supply Voltage Max 5.5 V —
Interface Parallel Parallel
Organisation de la mémoire Bottom boot (B suffix) —
Largeur du bus de données 8-bit or 16-bit (BYTE# selectable) —
Boîtier 48-pin TSOP Type I (N suffix) 48-TSOP I
Type de montage Surface Mount (SMD/SMT) Surface Mount
Température de fonctionnement Up to +125 C (Auto Grade 3 suffix) -40C to +125C
Packing Tray (blank suffix) —
Statut RoHS Compliant (E suffix) Compliant (E suffix = lead-free/RoHS)
Programming Operations READ, ERASE, PROGRAM via command set —
Write Protection Block protection with lockable boot block —
Status Output RB# (Ready/Busy) —
Memory Organization — 512K x 16 (8 Mbit)
Density — 8389 kbits
Tension d'alimentation — 5 V
Boot Block Architecture — Top Boot Block
Word/Byte Configuration — BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit)
Hardware Reset / Power-Down — RP# pin
Embedded Program/Erase Controller — Yes (byte/word program, block erase)
Program/Erase Endurance — 100,000 cycles per block (typical for family)
Data Retention — >20 years (typical for family)
Ready/Busy Output — Yes

Fiches techniques et ressources

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