M29F800FT55M3F2 vs M29F800FT55N3F2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de M29F800FT55M3F2 por Micron Technology y M29F800FT55N3F2 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
M29F800FT55M3F2 M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55M3F2 ✓ Activo
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Comparación de especificaciones

Parámetro M29F800FT55M3F2 M29F800FT55N3F2
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,10 $0,78
Tipo de memoria Parallel NOR Flash NOR Flash, Parallel
Density 8 Mbit (8389 kbits) —
Organización de memoria 512K x 16 / 1M x 8 1M x 8 bit / 512K x 16 bit
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Boot Block Position Top boot block —
Programming Interface Embedded program/erase controller —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Encapsulado 44-pin SO (SOP) 48-pin TSOP
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) Tape & Reel (T/R)
Interfaz Parallel, x8/x16 selectable Parallel
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
Estado RoHS Compliant (lead-free suffix F2) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Tamaño de memoria — 8 Mbit
Tensión de alimentación — 5 V (single supply)
Boot Block Architecture — Top boot block (T)
Programming Voltage — 5.0 V VCC (no 12 V VPP required)
Erase Block Size — [DATA_NEEDED: block size]
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention]
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Active Read Current — [DATA_NEEDED: ICC read]

Hojas de datos y recursos

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