MRF5S19100HR vs MRF5S19100HR5 Comparación

Comparación detallada lado a lado de MRF5S19100HR por NXP Semiconductors y MRF5S19100HR5 por NXP Semiconductors. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

NXP Semiconductors
MRF5S19100HR MRF5S19100HR - 100W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz | NXP

MRF5S19100HR - 100W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz | NXP

MRF5S19100HR ✓ Activo
NXP Semiconductors
MRF5S19100HR5 MRF5S19100HR5 - 22W RF LDMOS 1.93-1.99GHz | NXP

MRF5S19100HR5 - 22W RF LDMOS 1.93-1.99GHz | NXP

MRF5S19100HR5 Obsolete

Comparación de especificaciones

Parámetro MRF5S19100HR MRF5S19100HR5
Marca NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Obsolete
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $44,00 $25,40
Manufacturer NXP Semiconductors —
Part Family MRF5S19090 / MRF5S19100 —
Device Type N-Channel Enhancement-Mode Lateral RF Power MOSFET —
Frequency Range 1930 - 1990 MHz —
Output Power (Avg) 22 W (2-carrier N-CDMA) —
Output Power (PEP) 100 W (typical, single tone) —
Power Gain 13.9 dB (typical at Pout = 22 W) —
Drain Efficiency >30% (typical, 2-carrier) —
Drain-Source Voltage (Max) 65 V —
Drain Operating Voltage 28 V nominal —
Quiescent Current (IDQ) 1000 mA —
Gate-Source Voltage (Max) [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] —
Temperatura de unión de funcionamiento -40C to +200C —
Encapsulado NI-780 (ceramic flange) —
Tipo de montaje Flange / bolt-down, surface-mount RF Chassis Mount / Flange
Polarity / Channel N-Channel, dual-die —
ESD Protection Gate-source ESD diodes integrated Yes (per datasheet)
Estado RoHS Compliant (per NXP product page) [DATA_NEEDED: rohs status]
Sin halógenos [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Storage Temperature -65C to +200C (per NXP RF Power standard) —
Tipo de transistor — LDMOS (RF Power)
Technology — N-Channel MOSFET
Frequency Band — 1.93 GHz to 1.99 GHz
Output Power (Pout) — 22 W
Power Gain at Test — 13.9 dB
Drain-Source Voltage Rated (Vdss) — 65 V
Test Voltage (Vd) — 28 V
Test Current (Id) — 1 A
Encapsulado / Carcasa — NI-780 (3-pin ceramic flange)
Supplier Device Package — NI-780
Configuration — Single N-Channel
Part Status — Obsolete
Lead Finish — [DATA_NEEDED: lead finish]
Channel Temperature (Tj max) — [DATA_NEEDED: junction temp absolute maximum]

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