MRF5S19100HR vs MRF5S19100HR5 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MRF5S19100HR от NXP Semiconductors и MRF5S19100HR5 от NXP Semiconductors. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

NXP Semiconductors
MRF5S19100HR MRF5S19100HR - 100W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz | NXP

MRF5S19100HR - 100W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz | NXP

MRF5S19100HR ✓ Активен
NXP Semiconductors
MRF5S19100HR5 MRF5S19100HR5 - 22W RF LDMOS 1.93-1.99GHz | NXP

MRF5S19100HR5 - 22W RF LDMOS 1.93-1.99GHz | NXP

MRF5S19100HR5 Obsolete

Сравнение характеристик

Параметр MRF5S19100HR MRF5S19100HR5
Бренд NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Obsolete
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $44,00 $25,40
Manufacturer NXP Semiconductors —
Part Family MRF5S19090 / MRF5S19100 —
Device Type N-Channel Enhancement-Mode Lateral RF Power MOSFET —
Frequency Range 1930 - 1990 MHz —
Output Power (Avg) 22 W (2-carrier N-CDMA) —
Output Power (PEP) 100 W (typical, single tone) —
Power Gain 13.9 dB (typical at Pout = 22 W) —
Drain Efficiency >30% (typical, 2-carrier) —
Drain-Source Voltage (Max) 65 V —
Drain Operating Voltage 28 V nominal —
Quiescent Current (IDQ) 1000 mA —
Gate-Source Voltage (Max) [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] —
Рабочая температура перехода -40C to +200C —
Корпус NI-780 (ceramic flange) —
Тип монтажа Flange / bolt-down, surface-mount RF Chassis Mount / Flange
Polarity / Channel N-Channel, dual-die —
ESD Protection Gate-source ESD diodes integrated Yes (per datasheet)
Статус RoHS Compliant (per NXP product page) [DATA_NEEDED: rohs status]
Без галогенов [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Storage Temperature -65C to +200C (per NXP RF Power standard) —
Тип транзистора — LDMOS (RF Power)
Technology — N-Channel MOSFET
Frequency Band — 1.93 GHz to 1.99 GHz
Output Power (Pout) — 22 W
Power Gain at Test — 13.9 dB
Drain-Source Voltage Rated (Vdss) — 65 V
Test Voltage (Vd) — 28 V
Test Current (Id) — 1 A
Корпус / Типоразмер — NI-780 (3-pin ceramic flange)
Supplier Device Package — NI-780
Configuration — Single N-Channel
Part Status — Obsolete
Lead Finish — [DATA_NEEDED: lead finish]
Channel Temperature (Tj max) — [DATA_NEEDED: junction temp absolute maximum]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену