MRF5S4140HR5 vs MRF5S4140HR3 Comparación

Comparación detallada lado a lado de MRF5S4140HR5 por NXP Semiconductors y MRF5S4140HR3 por NXP Semiconductors. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

NXP Semiconductors
MRF5S4140HR5 MRF5S4140HR5 - 28V, 28W RF Power MOSFET 465MHz | NXP

MRF5S4140HR5 - 28V, 28W RF Power MOSFET 465MHz | NXP

MRF5S4140HR5 ✓ Activo
NXP Semiconductors
MRF5S4140HR3 MRF5S4140HR3 - 465MHz 28V 28W RF Power LDMOS | NXP

MRF5S4140HR3 - 465MHz 28V 28W RF Power LDMOS | NXP

MRF5S4140HR3 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MRF5S4140HR5 MRF5S4140HR3
Marca NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $62,50 $30,55
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale) —
Part Family MRF5S series RF power MOSFET —
Tipo de transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET (LDMOS)
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 65 V —
Typical Operating Drain Voltage 28 V —
Output Power (Pout) 28 W (CW at 465 MHz) —
Power Gain 21 dB at 465 MHz 21 dB at 465 MHz
Operating Frequency Range 400 MHz to 500 MHz —
Maximum Drain Current 1.25 A —
Encapsulado / Carcasa NI-780H-2L (2-Lead Ceramic Flange) —
Manufacturer Part Number MRF5S4140HR5 —
Test Condition Frequency 465 MHz —
Tipo de montaje Chassis / Flange Mount with Through-Hole Leads —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance per manufacturer datasheet] [DATA_NEEDED: explicit RoHS status not in web data]
Lead-Free [DATA_NEEDED: lead-free per manufacturer datasheet] [DATA_NEEDED: lead-free status not in web data]
Frequency Band — 400-500 MHz
Test Frequency — 465 MHz
Typical Output Power — 28 W avg.
Operating Drain Voltage — 28 V typical
Drain-Source Voltage (Max) — 65 V
DC Bias Current (Id) — 1.25 A typical
Configuration — Single, common-source
Maximum Power Dissipation — 427 W absolute (per partstack profile)
Encapsulado — NI-780H-2L (ceramic flange mount)
Estilo de montaje — Flange mount, surface-mount leads
Input Matching — Internal, broadband
Operating Mode — Class AB, large-signal
Application — Single N-CDMA base station PA, 450 MHz band

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización