MRF5S4140HR5 vs MRF5S4140HR3 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MRF5S4140HR5 par NXP Semiconductors et MRF5S4140HR3 par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

NXP Semiconductors
MRF5S4140HR5 MRF5S4140HR5 - 28V, 28W RF Power MOSFET 465MHz | NXP

MRF5S4140HR5 - 28V, 28W RF Power MOSFET 465MHz | NXP

MRF5S4140HR5 ✓ Actif
NXP Semiconductors
MRF5S4140HR3 MRF5S4140HR3 - 465MHz 28V 28W RF Power LDMOS | NXP

MRF5S4140HR3 - 465MHz 28V 28W RF Power LDMOS | NXP

MRF5S4140HR3 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MRF5S4140HR5 MRF5S4140HR3
Marque NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $62,50 $30,55
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale) —
Part Family MRF5S series RF power MOSFET —
Type de transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET (LDMOS)
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 65 V —
Typical Operating Drain Voltage 28 V —
Output Power (Pout) 28 W (CW at 465 MHz) —
Power Gain 21 dB at 465 MHz 21 dB at 465 MHz
Operating Frequency Range 400 MHz to 500 MHz —
Maximum Drain Current 1.25 A —
Boîtier / Format NI-780H-2L (2-Lead Ceramic Flange) —
Manufacturer Part Number MRF5S4140HR5 —
Test Condition Frequency 465 MHz —
Type de montage Chassis / Flange Mount with Through-Hole Leads —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance per manufacturer datasheet] [DATA_NEEDED: explicit RoHS status not in web data]
Lead-Free [DATA_NEEDED: lead-free per manufacturer datasheet] [DATA_NEEDED: lead-free status not in web data]
Frequency Band — 400-500 MHz
Test Frequency — 465 MHz
Typical Output Power — 28 W avg.
Operating Drain Voltage — 28 V typical
Drain-Source Voltage (Max) — 65 V
DC Bias Current (Id) — 1.25 A typical
Configuration — Single, common-source
Maximum Power Dissipation — 427 W absolute (per partstack profile)
Boîtier — NI-780H-2L (ceramic flange mount)
Style de montage — Flange mount, surface-mount leads
Input Matching — Internal, broadband
Operating Mode — Class AB, large-signal
Application — Single N-CDMA base station PA, 450 MHz band

Fiches techniques et ressources

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