MRF8S9202NR3 vs MRF8S9102NR3 Comparación

Comparación detallada lado a lado de MRF8S9202NR3 por NXP Semiconductors y MRF8S9102NR3 por NXP Semiconductors. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

NXP Semiconductors
MRF8S9202NR3 MRF8S9202NR3 - 58W 920-960MHz RF Power MOSFET | NXP

MRF8S9202NR3 - 58W 920-960MHz RF Power MOSFET | NXP

MRF8S9202NR3 ✓ Activo
NXP Semiconductors
MRF8S9102NR3 MRF8S9102NR3 - 28W RF Power MOSFET 865-960MHz | NXP

MRF8S9102NR3 - 28W RF Power MOSFET 865-960MHz | NXP

MRF8S9102NR3 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MRF8S9202NR3 MRF8S9102NR3
Marca NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $64,80 $24,10
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale) NXP Semiconductors (formerly Freescale)
Part Status Active —
Tipo de transistor N-Channel Lateral MOSFET N-Channel Lateral Enhancement-Mode MOSFET
Configuration Single —
Frequency Range 920 MHz to 960 MHz —
Test Frequency 920 MHz 920 MHz
Output Power (W-CDMA Average) 58 W —
Power Gain (typ) 19 dB at 920 MHz —
Drain Supply Voltage (VDD) 28 V —
Quiescent Drain Current (IDQ) 1300 mA —
Drain Current (operating) 1.3 A —
Min Drain-Source Breakdown Voltage 70 V —
Encapsulado / Carcasa OM-780-2 (ceramic air-cavity) —
Tipo de montaje Surface Mount Chassis / flange mount with bolt-down thermal pad
Operating Mode Class AB and Class C Class AB or Class C
Modulation Support Single W-CDMA, CDMA, GSM/EDGE —
Estado RoHS Compliant [DATA_NEEDED: rohs compliance]
Part Family — MRF8S9102N / HV8 series
Application — RF Power Amplifier, W-CDMA base station
Operating Frequency Range — 865 MHz to 960 MHz
Drain-Source Operating Voltage (VDS) — 28 V (typical test condition)
Drain-Source Breakdown Voltage (VDSS) — 70 V (max)
Average Output Power (POUT) — 28 W
Drain Current (ID) at bias — 750 mA
Power Gain (Gp) — 23.1 dB
Modulation Format — Single W-CDMA (also Class AB/C capable)
Encapsulado — OM-780-2 (3-pin ceramic, flange mount)
Recuento de pines — 3

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