MRF8S9202NR3 vs MRF8S9102NR3 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MRF8S9202NR3 par NXP Semiconductors et MRF8S9102NR3 par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

NXP Semiconductors
MRF8S9202NR3 MRF8S9202NR3 - 58W 920-960MHz RF Power MOSFET | NXP

MRF8S9202NR3 - 58W 920-960MHz RF Power MOSFET | NXP

MRF8S9202NR3 ✓ Actif
NXP Semiconductors
MRF8S9102NR3 MRF8S9102NR3 - 28W RF Power MOSFET 865-960MHz | NXP

MRF8S9102NR3 - 28W RF Power MOSFET 865-960MHz | NXP

MRF8S9102NR3 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MRF8S9202NR3 MRF8S9102NR3
Marque NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $64,80 $24,10
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale) NXP Semiconductors (formerly Freescale)
Part Status Active —
Type de transistor N-Channel Lateral MOSFET N-Channel Lateral Enhancement-Mode MOSFET
Configuration Single —
Frequency Range 920 MHz to 960 MHz —
Test Frequency 920 MHz 920 MHz
Output Power (W-CDMA Average) 58 W —
Power Gain (typ) 19 dB at 920 MHz —
Drain Supply Voltage (VDD) 28 V —
Quiescent Drain Current (IDQ) 1300 mA —
Drain Current (operating) 1.3 A —
Min Drain-Source Breakdown Voltage 70 V —
Boîtier / Format OM-780-2 (ceramic air-cavity) —
Type de montage Surface Mount Chassis / flange mount with bolt-down thermal pad
Operating Mode Class AB and Class C Class AB or Class C
Modulation Support Single W-CDMA, CDMA, GSM/EDGE —
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: rohs compliance]
Part Family — MRF8S9102N / HV8 series
Application — RF Power Amplifier, W-CDMA base station
Operating Frequency Range — 865 MHz to 960 MHz
Drain-Source Operating Voltage (VDS) — 28 V (typical test condition)
Drain-Source Breakdown Voltage (VDSS) — 70 V (max)
Average Output Power (POUT) — 28 W
Drain Current (ID) at bias — 750 mA
Power Gain (Gp) — 23.1 dB
Modulation Format — Single W-CDMA (also Class AB/C capable)
Boîtier — OM-780-2 (3-pin ceramic, flange mount)
Nombre de broches — 3

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