MRFE6S9046NR1 vs MRFE6S9046GNR1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de MRFE6S9046NR1 por NXP Semiconductors y MRFE6S9046GNR1 por NXP Semiconductors. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

NXP Semiconductors
MRFE6S9046NR1 MRFE6S9046NR1 - 45W RF Power MOSFET 920-960 MHz | NXP

MRFE6S9046NR1 - 45W RF Power MOSFET 920-960 MHz | NXP

MRFE6S9046NR1 ✓ Activo
NXP Semiconductors
MRFE6S9046GNR1 MRFE6S9046GNR1 - 35.5W 960MHz 28V RF Power MOSFET | NXP

MRFE6S9046GNR1 - 35.5W 960MHz 28V RF Power MOSFET | NXP

MRFE6S9046GNR1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MRFE6S9046NR1 MRFE6S9046GNR1
Marca NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $26,40 $18,95
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale) NXP Semiconductors (formerly Freescale)
Part Number MRFE6S9046NR1 MRFE6S9046GNR1
Tipo de transistor LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
Frequency Range 920 MHz to 960 MHz —
Output Power (CW) 35.5 W typical at 960 MHz, 28 V —
Power Gain 19 dB typical at 960 MHz —
Drain-Source Voltage (Vds max) 66 V rated —
Operating Drain Voltage 28 V nominal —
Test Current (Quiescent) 300 mA —
Encapsulado / Carcasa TO-270 WB-4 (CASE 1486-03, Style 1), plastic over-molded ceramic TO-270 WB-4 (Case 1486-03, Style 1), plastic overmold
Recuento de pines 5 (Drain, Gate, Source x2, NC) —
Tipo de montaje Surface Mount / Flange Mount Surface Mount (Gull-wing leads)
Application GSM / GSM EDGE base station, CDMA, multicarrier amplifier —
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Estado RoHS Compliant (per DigiKey listing) Compliant (lead-free)
Lead-Free Status Lead Free (per distributor data) —
Technology — HV6E lateral MOSFET
Frequency Band — 920 to 960 MHz
Test Frequency — 960 MHz
Drain Voltage (VDD) — 28 V (typical)
Output Power (Pout, CW) — 35.5 W
Power Gain (Gp) — 19 dB
Drain Efficiency — [DATA_NEEDED: drain efficiency %]
Quiescent Drain Current (IDQ) — 300 mA
Input Bias Voltage Range — [DATA_NEEDED: VGS range]
Rango de temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: operating temp range]
Storage Temperature Range — [DATA_NEEDED: storage temp range]
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Sin halógenos — [DATA_NEEDED: halogen-free status]

Hojas de datos y recursos

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