MRFE6S9046NR1 vs MRFE6S9046GNR1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MRFE6S9046NR1 от NXP Semiconductors и MRFE6S9046GNR1 от NXP Semiconductors. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

NXP Semiconductors
MRFE6S9046NR1 MRFE6S9046NR1 - 45W RF Power MOSFET 920-960 MHz | NXP

MRFE6S9046NR1 - 45W RF Power MOSFET 920-960 MHz | NXP

MRFE6S9046NR1 ✓ Активен
NXP Semiconductors
MRFE6S9046GNR1 MRFE6S9046GNR1 - 35.5W 960MHz 28V RF Power MOSFET | NXP

MRFE6S9046GNR1 - 35.5W 960MHz 28V RF Power MOSFET | NXP

MRFE6S9046GNR1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр MRFE6S9046NR1 MRFE6S9046GNR1
Бренд NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $26,40 $18,95
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale) NXP Semiconductors (formerly Freescale)
Part Number MRFE6S9046NR1 MRFE6S9046GNR1
Тип транзистора LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
Frequency Range 920 MHz to 960 MHz —
Output Power (CW) 35.5 W typical at 960 MHz, 28 V —
Power Gain 19 dB typical at 960 MHz —
Drain-Source Voltage (Vds max) 66 V rated —
Operating Drain Voltage 28 V nominal —
Test Current (Quiescent) 300 mA —
Корпус / Типоразмер TO-270 WB-4 (CASE 1486-03, Style 1), plastic over-molded ceramic TO-270 WB-4 (Case 1486-03, Style 1), plastic overmold
Число выводов 5 (Drain, Gate, Source x2, NC) —
Тип монтажа Surface Mount / Flange Mount Surface Mount (Gull-wing leads)
Application GSM / GSM EDGE base station, CDMA, multicarrier amplifier —
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Статус RoHS Compliant (per DigiKey listing) Compliant (lead-free)
Lead-Free Status Lead Free (per distributor data) —
Technology — HV6E lateral MOSFET
Frequency Band — 920 to 960 MHz
Test Frequency — 960 MHz
Drain Voltage (VDD) — 28 V (typical)
Output Power (Pout, CW) — 35.5 W
Power Gain (Gp) — 19 dB
Drain Efficiency — [DATA_NEEDED: drain efficiency %]
Quiescent Drain Current (IDQ) — 300 mA
Input Bias Voltage Range — [DATA_NEEDED: VGS range]
Диапазон рабочих температур — [DATA_NEEDED: operating temp range]
Storage Temperature Range — [DATA_NEEDED: storage temp range]
Уровень чувствительности к влаге (MSL) — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Без галогенов — [DATA_NEEDED: halogen-free status]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену