MRFE6S9046NR1 vs MRFE6S9046GNR1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MRFE6S9046NR1 par NXP Semiconductors et MRFE6S9046GNR1 par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

NXP Semiconductors
MRFE6S9046NR1 MRFE6S9046NR1 - 45W RF Power MOSFET 920-960 MHz | NXP

MRFE6S9046NR1 - 45W RF Power MOSFET 920-960 MHz | NXP

MRFE6S9046NR1 ✓ Actif
NXP Semiconductors
MRFE6S9046GNR1 MRFE6S9046GNR1 - 35.5W 960MHz 28V RF Power MOSFET | NXP

MRFE6S9046GNR1 - 35.5W 960MHz 28V RF Power MOSFET | NXP

MRFE6S9046GNR1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MRFE6S9046NR1 MRFE6S9046GNR1
Marque NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $26,40 $18,95
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale) NXP Semiconductors (formerly Freescale)
Part Number MRFE6S9046NR1 MRFE6S9046GNR1
Type de transistor LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
Frequency Range 920 MHz to 960 MHz —
Output Power (CW) 35.5 W typical at 960 MHz, 28 V —
Power Gain 19 dB typical at 960 MHz —
Drain-Source Voltage (Vds max) 66 V rated —
Operating Drain Voltage 28 V nominal —
Test Current (Quiescent) 300 mA —
Boîtier / Format TO-270 WB-4 (CASE 1486-03, Style 1), plastic over-molded ceramic TO-270 WB-4 (Case 1486-03, Style 1), plastic overmold
Nombre de broches 5 (Drain, Gate, Source x2, NC) —
Type de montage Surface Mount / Flange Mount Surface Mount (Gull-wing leads)
Application GSM / GSM EDGE base station, CDMA, multicarrier amplifier —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Statut RoHS Compliant (per DigiKey listing) Compliant (lead-free)
Lead-Free Status Lead Free (per distributor data) —
Technology — HV6E lateral MOSFET
Frequency Band — 920 to 960 MHz
Test Frequency — 960 MHz
Drain Voltage (VDD) — 28 V (typical)
Output Power (Pout, CW) — 35.5 W
Power Gain (Gp) — 19 dB
Drain Efficiency — [DATA_NEEDED: drain efficiency %]
Quiescent Drain Current (IDQ) — 300 mA
Input Bias Voltage Range — [DATA_NEEDED: VGS range]
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temp range]
Storage Temperature Range — [DATA_NEEDED: storage temp range]
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Sans halogène — [DATA_NEEDED: halogen-free status]

Fiches techniques et ressources

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