MRFG35010NR5 vs MRFG35003NR5 Comparación

Comparación detallada lado a lado de MRFG35010NR5 por NXP Semiconductors y MRFG35003NR5 por NXP Semiconductors. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

NXP Semiconductors
MRFG35010NR5 MRFG35010NR5 - 9W pHEMT RF Power FET 3.55GHz | NXP

MRFG35010NR5 - 9W pHEMT RF Power FET 3.55GHz | NXP

MRFG35010NR5 Obsolete
NXP Semiconductors
MRFG35003NR5 MRFG35003NR5 - 3W 3.55GHz pHEMT RF Power FET | NXP

MRFG35003NR5 - 3W 3.55GHz pHEMT RF Power FET | NXP

MRFG35003NR5 Obsolete

Comparación de especificaciones

Parámetro MRFG35010NR5 MRFG35003NR5
Marca NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Obsolete Obsolete
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $9,60 $10,95
Tipo de transistor pHEMT FET pHEMT FET
Technology GaAs pHEMT GaAs pHEMT
Frequency 3.55 GHz 3.55 GHz (test)
Operating Frequency Range Up to 3.6 GHz —
Gain 10 dB (typical at 3.55 GHz) —
Output Power (CW) 9 W —
Voltage - Rated 15 V —
Voltage - Test 12 V —
Current - Test 180 mA —
Current Rating 2.9 A —
Encapsulado / Carcasa PLD-1.5 PLD-1.5 (ceramic flange, bolt-down)
Supplier Device Package PLD-1.5 PLD-1.5
Tipo de montaje Surface Mount Chassis / flange mount with screws
Configuration Single, unmatched Single, unmatched die
Application WLL/MMDS/BWA/UMTS driver stages —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: rohs status] —
Lead Free Status [DATA_NEEDED: lead free status] Lead-free (per NXP product page)
Frequency Range — Up to 3.6 GHz
Drain-Source Rated Voltage — 15 V
Continuous Drain Current — 1.3 A
Test Drain Voltage — 12 V
Test Drain Current — 55 mA
Power Gain (typ) — 11.5 dB @ 3.55 GHz
Output Power — 3 W
Operating Class — Class AB linear
Packaging — Tape & Reel (R5 suffix)

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