MRFG35010NR5 vs MRFG35003NR5 비교

다음의 상세 나란히 비교: MRFG35010NR5 제조: NXP Semiconductors 및 MRFG35003NR5 제조: NXP Semiconductors. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

NXP Semiconductors
MRFG35010NR5 MRFG35010NR5 - 9W pHEMT RF Power FET 3.55GHz | NXP

MRFG35010NR5 - 9W pHEMT RF Power FET 3.55GHz | NXP

MRFG35010NR5 Obsolete
NXP Semiconductors
MRFG35003NR5 MRFG35003NR5 - 3W 3.55GHz pHEMT RF Power FET | NXP

MRFG35003NR5 - 3W 3.55GHz pHEMT RF Power FET | NXP

MRFG35003NR5 Obsolete

사양 비교

파라미터 MRFG35010NR5 MRFG35003NR5
브랜드 NXP Semiconductors NXP Semiconductors
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 Obsolete Obsolete
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $9.60 $10.95
트랜지스터 유형 pHEMT FET pHEMT FET
Technology GaAs pHEMT GaAs pHEMT
Frequency 3.55 GHz 3.55 GHz (test)
Operating Frequency Range Up to 3.6 GHz —
Gain 10 dB (typical at 3.55 GHz) —
Output Power (CW) 9 W —
Voltage - Rated 15 V —
Voltage - Test 12 V —
Current - Test 180 mA —
Current Rating 2.9 A —
패키지 / 케이스 PLD-1.5 PLD-1.5 (ceramic flange, bolt-down)
Supplier Device Package PLD-1.5 PLD-1.5
실장 유형 Surface Mount Chassis / flange mount with screws
Configuration Single, unmatched Single, unmatched die
Application WLL/MMDS/BWA/UMTS driver stages —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: rohs status] —
Lead Free Status [DATA_NEEDED: lead free status] Lead-free (per NXP product page)
Frequency Range — Up to 3.6 GHz
Drain-Source Rated Voltage — 15 V
Continuous Drain Current — 1.3 A
Test Drain Voltage — 12 V
Test Drain Current — 55 mA
Power Gain (typ) — 11.5 dB @ 3.55 GHz
Output Power — 3 W
Operating Class — Class AB linear
Packaging — Tape & Reel (R5 suffix)

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