MT40A512M16TB-062E:R vs AS4C512M16D4B-62BCNTR Comparación

Comparación detallada lado a lado de MT40A512M16TB-062E:R por Micron Technology y AS4C512M16D4B-62BCNTR por Alliance Memory. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R ✓ Activo
Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MT40A512M16TB-062E:R AS4C512M16D4B-62BCNTR
Marca Micron Technology Alliance Memory
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $60,00 $8,10
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamaño de memoria 8 Gbit (512M x 16) 8 Gbit (512M x 16)
Velocidad de datos 3200 MT/s 3200 MT/s
Clock Frequency 1600 MHz 1600 MHz
Latencia CAS 22 19 ns
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Voltage 2.5V (-125mV, +250mV) —
Temperatura de funcionamiento 0°C to +95°C 0°C to 95°C
Encapsulado 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-FBGA (7.5x13 mm)
Interfaz Parallel Parallel
Ancho del bus de datos 16 bits —
Refresh Time 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
Características Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration —
Estado RoHS Compliant Compliant
Tensión de alimentación — 1.2 V (1.14V to 1.26V)
Tipo de montaje — Surface Mount
JEDEC Standard — Compliant
Organización de memoria — 512M x 16
Revision — Rev.B
Lead-Free — Yes

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