MT40A512M16TB-062E:R vs AS4C512M16D4B-62BCNTR Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT40A512M16TB-062E:R par Micron Technology et AS4C512M16D4B-62BCNTR par Alliance Memory. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R ✓ Actif
Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT40A512M16TB-062E:R AS4C512M16D4B-62BCNTR
Marque Micron Technology Alliance Memory
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $60,00 $8,10
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 8 Gbit (512M x 16) 8 Gbit (512M x 16)
Débit de données 3200 MT/s 3200 MT/s
Clock Frequency 1600 MHz 1600 MHz
Latence CAS 22 19 ns
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Voltage 2.5V (-125mV, +250mV) —
Température de fonctionnement 0°C to +95°C 0°C to 95°C
Boîtier 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-FBGA (7.5x13 mm)
Interface Parallel Parallel
Largeur du bus de données 16 bits —
Refresh Time 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
Caractéristiques Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration —
Statut RoHS Compliant Compliant
Tension d'alimentation — 1.2 V (1.14V to 1.26V)
Type de montage — Surface Mount
JEDEC Standard — Compliant
Organisation de la mémoire — 512M x 16
Revision — Rev.B
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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