MT40A512M16TB-062E:R vs AS4C512M16D4B-62BCNTR Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MT40A512M16TB-062E:R от Micron Technology и AS4C512M16D4B-62BCNTR от Alliance Memory. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R ✓ Активен
Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр MT40A512M16TB-062E:R AS4C512M16D4B-62BCNTR
Бренд Micron Technology Alliance Memory
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $60,00 $8,10
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Размер памяти 8 Gbit (512M x 16) 8 Gbit (512M x 16)
Скорость передачи данных 3200 MT/s 3200 MT/s
Clock Frequency 1600 MHz 1600 MHz
Задержка CAS 22 19 ns
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Voltage 2.5V (-125mV, +250mV) —
Рабочая температура 0°C to +95°C 0°C to 95°C
Корпус 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-FBGA (7.5x13 mm)
Интерфейс Parallel Parallel
Разрядность шины данных 16 bits —
Refresh Time 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
Особенности Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration —
Статус RoHS Compliant Compliant
Напряжение питания — 1.2 V (1.14V to 1.26V)
Тип монтажа — Surface Mount
JEDEC Standard — Compliant
Организация памяти — 512M x 16
Revision — Rev.B
Lead-Free — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену