MT40A512M8RH-075E:B vs K4A4G085WD-BCRC Comparación

Comparación detallada lado a lado de MT40A512M8RH-075E:B por Micron Technology y K4A4G085WD-BCRC por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
MT40A512M8RH-075E:B MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron

MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron

MT40A512M8RH-075E:B ✓ Activo
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCRC K4A4G085WD-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx8 | Samsung

K4A4G085WD-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx8 | Samsung

K4A4G085WD-BCRC ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MT40A512M8RH-075E:B K4A4G085WD-BCRC
Marca Micron Technology Samsung Electronics
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,15 $3,58
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (D-die)
Density 4 Gbit —
Organización de memoria 512M x 8 512M x 8
Velocidad de datos 2666 MT/s (DDR4-2666) 2400 Mb/s (PC2400)
Clock Frequency 1333 MHz (1.33 GHz) —
VDD Supply Voltage 1.2 V +/-60 mV —
VDDQ Supply Voltage 1.2 V +/-60 mV —
VPP Supply Voltage 2.5 V, -125 mV/+250 mV —
Tipo de interfaz Parallel —
I/O Structure 1.2V pseudo open-drain —
Tensión de referencia On-die internal adjustable VREFDQ generation —
Encapsulado 78-FBGA (9 x 10.5 mm), TFBGA FBGA-78 (TFBGA)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range (standard grade)] —
Refresh Refresh max interval extension at extended TC temperature range (125C capable per family features) [DATA_NEEDED: Refresh specification]
Speed Grade Suffix -075E —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Packaging Option Suffix :B (ball map B designation per Mouser listing) —
Memory Density — 4 Gbit
Tensión de alimentación — 1.2 V
Number of Terminals — 78
Interfaz — Parallel
Access Mode — Multi-bank page burst
Latencia CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Rango de temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL Level]

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