MT40A512M8RH-075E:B vs K4A4G085WD-BCRC 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT40A512M8RH-075E:B 제조: Micron Technology 및 K4A4G085WD-BCRC 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | MT40A512M8RH-075E:B | K4A4G085WD-BCRC |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.15 | $3.58 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (D-die) |
| Density | 4 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 512M x 8 | 512M x 8 |
| 데이터 속도 | 2666 MT/s (DDR4-2666) | 2400 Mb/s (PC2400) |
| Clock Frequency | 1333 MHz (1.33 GHz) | — |
| VDD Supply Voltage | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VDDQ Supply Voltage | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5 V, -125 mV/+250 mV | — |
| 인터페이스 유형 | Parallel | — |
| I/O Structure | 1.2V pseudo open-drain | — |
| 기준 전압 | On-die internal adjustable VREFDQ generation | — |
| 패키지 | 78-FBGA (9 x 10.5 mm), TFBGA | FBGA-78 (TFBGA) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range (standard grade)] | — |
| Refresh | Refresh max interval extension at extended TC temperature range (125C capable per family features) | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |
| Speed Grade Suffix | -075E | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Packaging Option Suffix | :B (ball map B designation per Mouser listing) | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| 공급 전압 | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 78 |
| 인터페이스 | — | Parallel |
| Access Mode | — | Multi-bank page burst |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| 동작 온도 범위 | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |