MT41K256M16HA-107AAT:E vs K4B4G1646D-BYH9 Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT41K256M16HA-107AAT:E por Micron Technology y K4B4G1646D-BYH9 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron
MT41K256M16HA-107AAT:E ✓ ActivoSamsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | MT41K256M16HA-107AAT:E | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $5,95 | $2,30 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | — |
| Tamaño de memoria | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Velocidad de datos | 933 MHz (DDR3L-1866) | 1333 Mbps |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tensión de alimentación | 1.35V | 1.35 V |
| Interfaz | Parallel | — |
| Encapsulado | 96-FBGA (9x14mm) | 96FBGA |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C (Tc) | 0 ~ 85 °C |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Latencia CAS | 13 (typical) | Programmable |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| Internal Calibration | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sin halógenos | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |